Silikon karbid tayoqchalari yaxshi kimyoviy barqarorlikka va kuchli kislota qarshiligiga ega
1000 ℃ dan yuqori bo'lgan kremniy karbid tayoqchasi tarkibiy qismlaridan uzoq vaqt davomida foydalanish kislorod va suv bug'lari bilan quyidagi ta'sirga ega bo'lishi mumkin: ①Sic+2O2 → Sio2+CO2 ②Sic+4H2O = Sio2+4H2+CO2 Sic2 ning tarkibiy qismi asta-sekin o'sib boradi, va qarshilik sekin o'sib boradi. Buning uchun qarish kerak. Agar suv bug'lari juda ko'p bo'lsa, u SiC oksidlanishiga yordam beradi. Formula formulasi reaktsiyasi natijasida hosil bo'lgan H2 havoda O2 bilan birikib, keyin H2O bilan reaksiyaga kirishib, aylana doirasini hosil qiladi. Komponentlarning ishlash muddatini qisqartiring. Vodorod qalin silikon karbid tayog'i (H2) komponentning mexanik kuchini pasaytirishi mumkin. 1200 ° S dan past bo'lgan azot (N2) SiC ning oksidlanishiga va 1350 ° C dan yuqori bo'lgan SiC bilan reaksiyaga kirishishiga to'sqinlik qilishi mumkin, shuning uchun SiC xlor (Cl2) bilan parchalanishi va Sic to'liq parchalanishi mumkin.